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· 縮短樣品制備時間：低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積；
· 在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品，同步獲取二次電子像和背散射電子像；
· 安裝原位冷臺、珀爾帖冷臺和熱臺，可在-165℃到1400℃溫度范圍內(nèi)進行原位分析；
· 的分析性能，樣品倉可同時安裝三個EDS探測器，其中兩個EDS端口分開180℃、WDS和共面EDS/EBSD；
· 針對不導(dǎo)電樣品的分析性能：憑借“壓差真空系統(tǒng)"實現(xiàn)低真空模式下的精確EDS和 EBSD分析。
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